DEEP RESEARCH · 나비타스반도체

나비타스 반도체: Navitas 2.0과 AI 전력 인프라 전환

2025년 4분기 실적, 800V HVDC, 초고전압 SiC, 공급망 재편, 컨퍼런스콜 Q&A 핵심 정리

작성일: 2026-02-28 · 2025년 4분기 실적 컨퍼런스콜 Q&A 분석 · 네이버 블로그 원문

0. 결론 먼저

• 4분기 매출은 730만 달러로 전분기 1,010만 달러보다 낮지만, 약 700만 달러 컨센서스와 가이던스 상단을 상회했다.
• 4분기 Non-GAAP 매출총이익률은 38.7%로 전분기 수준을 방어했고, 2026년 1분기 매출 가이던스는 800만~850만 달러다.
• 2025년 총매출은 4,590만 달러, 매출총이익률은 38.4%로, 2024년 8,330만 달러와 40.4% 대비 감소했다.
• 2025년 말 현금 및 현금성자산은 2억 3,690만 달러, 2025년 11월 사모 유상증자는 9,600만 달러, 부채는 없는 것으로 정리된다.
• 주가는 실적 발표 직후 약 19.6% 상승했지만, 월가의 핵심 논쟁은 800V HVDC 매출이 2026년에 선반영될지 2027년까지 기다려야 하는지다.

1. 4분기 실적과 구조조정

공식 사실: 나비타스는 4분기에 전체 직원의 약 19%를 감축했고, 구조조정 및 손상차손 비용 1,660만 달러를 인식했다. 세부적으로 유통 대리점 계약 해지·통폐합 1,000만 달러, 고정자산 손상 400만 달러, 인력 감축 관련 비용 200만 달러로 정리된다.

유통 채널 파트너를 약 40개에서 10개 미만으로 줄인 것은 모바일 중심 유통망을 정리하고, 고전력 시장의 설계 지원 역량을 가진 파트너에 집중하기 위한 조치다. 운영비용은 3분기 1,540만 달러에서 4분기 1,490만 달러로 줄었고, 경영진은 분기당 1,500만 달러 선의 비용 통제를 제시했다.

해석: 표면 매출은 작지만, 낮은 매출 기반에서도 38.7% 총이익률을 방어했다는 점은 고전력 제품 믹스가 모바일 매출 감소를 상쇄하기 시작했다는 신호다.

2. 800V HVDC: 54V 전력망의 물리적 한계

기존 데이터센터 표준은 54V DC 기반이다. 과거 랙당 20~50kW 수준에서는 충분했지만, Blackwell GB200을 넘어 Kyber·Rubin 세대로 가면 랙당 전력은 200kW를 돌파하고 2027년경 1MW에 이를 수 있다고 원문은 설명한다.

나비타스는 2026년 2월 800V AI 데이터센터용 10kW DC-DC 전력 플랫폼을 공개했다. 650V 및 100V GaNFast FET를 조합해 800V 입력을 50V로 낮추거나 ±400V를 50V로 변환하는 하프브리지 아키텍처다. 1MHz 스위칭, 최고 효율 98.5%, 풀로드 효율 98.1%, 61×116×11mm 풀브릭 패키지, 2.1 kW/in³ 전력밀도가 핵심 수치다.

해석: 이 10kW 보드는 완제품 모듈 사업 진출이 아니라 칩 채택을 유도하는 레퍼런스 디자인이다. 델타, 라이트온, 바이코 같은 전원장치 고객과 경쟁하지 않겠다는 점이 생태계 신뢰를 만든다.

3. 고전력 SAM과 그리드 SiC

공식 사실: 경영진은 AI 데이터센터, 에너지·그리드 인프라, 고성능 컴퓨팅, 산업용 전동화의 4대 고전력 시장 SAM이 2030년까지 35억 달러에 달하고, 향후 5년 CAGR이 60% 이상이며, GaN과 SiC가 50:50으로 시장을 나눌 것으로 전망했다.

시장이 데이터센터 내부 800V에 집중하는 동안, 원문은 데이터센터 외부 전력망을 더 큰 축으로 본다. AI 팩토리의 1MW 랙 수십·수백 개를 가동하려면 발전소에서 데이터센터 건물까지의 송배전·변압 인프라 현대화가 필요하고, 고체상태변압기(SST)와 BESS에는 2.3kV, 3.3kV, 장기적으로 5kV 이상 초고전압 SiC가 필요하다는 논리다.

나비타스는 5세대 GeneSiC 기반 TAAP(Trench-Assisted Planar) 아키텍처의 초고전압 SiCPAK 모듈을 출시하고 샘플링을 가속화하고 있다. 원문은 온세미와 울프스피드가 겪는 1.2kV 이하 범용 SiC 공급과잉과 달리, 나비타스는 2.3kV 이상 니치 마켓에 집중한다고 해석한다.

4. 공급망 재편: TSMC 리스크에서 GF·PSMC로

공식 사실: 원문은 나비타스 GaN 칩의 절반 이상을 생산하던 TSMC가 2027년 7월까지만 GaN 파운드리 서비스를 제공하고 철수한다는 SEC 10-K 관련 리스크를 언급한다.

해석: TSMC 철수는 단기 리스크지만, GF의 “Made in USA” 옵션과 PSMC 200mm 원가 구조는 AI 데이터센터·그리드·국방 엣지 컴퓨팅 고객에게 오히려 지정학적 신뢰도를 높일 수 있다.

5. 컨퍼런스콜 Q&A 핵심

6. 월가 의견과 최종 체크포인트

• 2026년 중반 이후 기존 데이터센터 PSU 스펙 상향에 따른 1.2kV SiC 매출이 GM 38.7% 이상을 지지하는지 확인해야 한다.
• 2027년 800V 시스템 1차측에서 GaN 설계 수주가 기사나 공시로 현실화되는지 봐야 한다.
• GF·PSMC 전환이 일정대로 진행되어 TSMC GaN 철수 리스크를 흡수하는지 추적해야 한다.
• 고전력 매출 비중 확대가 2분기 이후 실제 마진 레버리지로 이어지는지 확인해야 한다.