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DEEP RESEARCH · 테스

테스(TES): 메모리 장비주에서 첨단 공정 동반자로

3D NAND, GAA, HBM 하이브리드 본딩, BSPDN으로 보는 사업 포트폴리오 전환 분석

작성일: 2025-10-13 · 반도체 전공정 장비/첨단 패키징 · 네이버블로그 원문

투자 판단의 책임은 본인에게 있습니다. 본 자료는 리서치이며 매수·매도 추천이 아닙니다.

0. 결론 먼저

내가 보는 테스의 핵심은 “메모리 CAPEX 민감 장비주”라는 과거 프레임에서 벗어나 GAA 로직 식각, HBM 하이브리드 본딩, BSPDN/ALE 같은 첨단 공정 옵션을 확보하는 전환점에 있다는 점이다. 다만 매출 60~70%가 NAND, 삼성전자·SK하이닉스 비중이 약 95%라는 고객 집중도는 여전히 가장 큰 약점이다.

테스의 전략 전환 구조기존 메모리 캐시카우에서 로직·패키징으로 확장
3D NANDACL Hard Mask PECVD
GAA 로직Gas Phase Etch 채널 릴리즈
HBM한미반도체와 하이브리드 본더
차세대 R&DBSPDN·ALE·Low-k PECVD
실행에 성공하면 단순 업황 회복주보다 구조적 성장주로 재평가될 수 있다.

1. 과거의 테스: 3D NAND 증착 장비의 강자

공식 사실: 테스는 2002년 설립, 2008년 코스닥에 상장한 반도체 전공정 장비 기업이다. 주력은 PECVD와 Gas Phase Etch & Cleaning 장비이며, 본사는 경기도 용인시에 있다. 대표이사는 주숭일, 이재호로 정리되어 있다.

항목내용
회사명주식회사 테스 (TES Co., Ltd.)
티커/거래소095610 / KOSDAQ
설립/상장2002년 설립, 2008년 코스닥 상장
주요 사업반도체 전공정 장비: PECVD, Gas Etch
주력 제품ACL Hard Mask PECVD, Gas Phase Etcher
주요 고객삼성전자, SK하이닉스

공식 사실: 원문은 매출의 60~70%가 NAND 부문에서 발생했고, 전체 매출의 약 95%를 삼성전자와 SK하이닉스가 차지한다고 정리한다. 2024년 매출은 2,401억 원, 영업이익률은 16.0%로 제시됐다.

해석: 이 구조는 장점과 약점이 동시에 있다. 3D NAND 고단화에서는 고객과 공정 이해도가 깊은 강점이 있지만, NAND CAPEX가 꺾이면 밸류에이션이 바로 눌리는 구조다.

2. 산업 동인: AI, 고단화, GAA가 만드는 장비 수요

NAND

200단에서 400단 이상

3D NAND 고단화는 HAR 식각 난도를 키우고, 두껍고 낮은 응력의 ACL 하드마스크 수요를 늘린다.

HBM

HBM4 16단 이상

범프 기반 적층 한계를 넘어 구리 직접 연결 방식의 하이브리드 본딩 수요가 커진다.

Logic

3nm/2nm GAA

SiGe 희생층을 손상 없이 제거하는 채널 릴리즈 공정이 GPE 기술의 새 시장을 연다.

공식 사실: 원문은 식각 장비가 전체 팹 투자에서 35~40%까지 비중을 차지하게 되는 배경으로 3D NAND의 HAR 식각 난도 상승을 든다. 하이브리드 본딩 장비 시장은 HBM4 양산과 함께 커져 2028년 약 20억 달러 규모에 이를 수 있다고 정리되어 있다.

해석: 중요한 변화는 전공정과 후공정의 경계가 흐려진다는 점이다. 하이브리드 본딩도 표면 평탄도, 절연막, 플라즈마 세정 같은 전공정 역량을 요구하므로 테스의 기존 증착·플라즈마 기술이 패키징 영역으로 이어질 수 있다.

3. 기술 로드맵: GPE와 PECVD의 재사용

공식 사실: 테스의 PECVD는 전체 매출의 60%에서 최대 90%를 차지하는 핵심 분야로 설명된다. ACL 하드마스크 장비는 3D NAND HAR 구조를 위한 대표 제품이며, GPE는 원래 자연산화막 등을 손상 없이 제거하는 건식 세정 장비에서 출발했다.

기술 이니셔티브목표 애플리케이션개발 현황주요 마일스톤2027년 예상 기여
GAA GPE3nm/2nm 로직 채널 릴리즈삼성전자 양산 공급2024년 3nm GAA 퀄리피케이션, 2025년 이후 2nm/3nm 확대
하이브리드 본더HBM4 이상 첨단 패키징한미반도체와 공동 개발2026년 프로토타입 평가, 2027년 이후 초기 매출 가능성저~중
Low-k PECVDDRAM/로직 층간 절연막고객사 평가2024년 4분기 평가 완료 예상, 2025년 이후 적용 기대
BSD2nm 이하 BSPDN 후면 증착R&D 진행2025년 3분기 고객사 평가 종료 목표, 2026년 이후 공급 추진
ALE3D DRAM, 고단화 NANDR&D 진행2026년 이후 차세대 메모리 로드맵 연동-

4. 경쟁 구도: 국내 빅4와 글로벌 장비사 사이

구분테스원익IPS주성엔지니어링유진테크
핵심 기술PECVD, GPEPECVD, ALD, Dry EtcherALD, CVDSingle-wafer LPCVD, ALD
주요 고객삼성전자, SK하이닉스삼성전자, SK하이닉스SK하이닉스, 중국 고객사SK하이닉스, 삼성전자, Micron
최근 매출2,401억 원 (2024)6,686억 원 (2023)2,763억 원 (2023)3,106억 원 (2022)
최근 영업이익률16.0% (2024)-15.1% (2023)2.0% (2023)17.3% (2022)

해석: 국내 장비사 중 테스는 포트폴리오 폭보다 GPE와 ACL PECVD의 공정 깊이가 차별점이다. 글로벌로는 AMAT, Lam Research, TEL과 경쟁해야 하므로, “특정 공정의 국산화·고객 맞춤”에서 우위를 만들어야 한다.

5. 재무와 밸류에이션 관점

원문은 향후 3년 실적이 기존 메모리 회복과 신규 사업 성장의 결합으로 나타날 가능성을 본다. GAA GPE와 하이브리드 본더, Low-k, BSD, ALE는 당장 모두 큰 매출로 잡히지는 않지만, 기존 메모리 장비보다 기술 장벽과 경쟁 구도가 우호적일 수 있다는 점이 핵심이다.

해석: 내가 보는 재평가 조건은 세 가지다. 첫째, 삼성 GAA 공정에서 GPE 점유율이 확대되는지. 둘째, 한미반도체와의 하이브리드 본더 프로토타입이 실제 고객 평가로 이어지는지. 셋째, R&D 센터에서 BSD, Low-k, ALE의 퀄리피케이션과 첫 수주가 나오는지다.

6. 리스크와 최종 판단

강점

공정 기술

PECVD 하드마스크와 GPE에서 축적한 세계적 수준의 특정 공정 역량.

약점

고객 집중

삼성전자·SK하이닉스 의존도가 약 95%로, 신규 사업도 같은 고객에 묶일 수 있다.

기회

GAA/HBM/BSPDN

AI와 HPC가 로직, HBM, 후면전력공급망 장비 수요를 동시에 연다.

위협

글로벌 경쟁

AMAT, Lam Research, TEL과 신기술 개발 지연 리스크를 같이 봐야 한다.

최종적으로 테스는 메모리 업황 회복만 기다리는 회사가 아니라, 첨단 공정에서 새 매출원을 만들려는 장비사로 봐야 한다. 그러나 이 전환은 이미 완료된 결론이 아니라 실행 검증의 문제다. 단기 실적보다 GAA GPE, 하이브리드 본딩, BSD/Low-k/ALE 퀄리피케이션을 계속 추적하겠다.

출처